FP7G75US60
FP7G75US60
Modello di prodotti:
FP7G75US60
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MODULE IGBT 600V 75A EPM7
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60709 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FP7G75US60.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.8V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore:EPM7
Serie:Power-SPM™
Potenza - Max:310W
Contenitore / involucro:EPM7
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:4.515nF @ 30V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Descrizione dettagliata:IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount EPM7
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):75A
Configurazione:Half Bridge
Email:[email protected]

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