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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1
Modello di prodotti:
FP25R12W2T4BOMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Quantità:
87607 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FP25R12W2T4BOMA1.pdf
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introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.25V @ 15V, 25A
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:-
Potenza - Max:175W
Contenitore / involucro:Module
Altri nomi:FP25R12W2T4
FP25R12W2T4-ND
SP000307561
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:1.45nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Descrizione dettagliata:IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max):1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):39A
Configurazione:Three Phase Inverter
Email:[email protected]

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