| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 110ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-TSOP II |
| Serie: | F-RAM™ |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Altri nomi: | FM22L16-55-TGTRRA FM22L1655TGTR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
| Numero di parte base: | FM22L16 |
| Tempo di accesso: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
