| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | FJN4302RTACT |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Numero di parte base: | FJN4302 |
| Email: | [email protected] |
