FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU
Modello di prodotti:
FGA25N120ANTDTU
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
42836 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FGA25N120ANTDTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.65V @ 15V, 50A
Condizione di test:600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:50ns/190ns
di scambio energetico:4.1mJ (on), 960µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):350ns
Potenza - Max:312W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi:FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT and Trench
carica gate:200nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm):90A
Corrente - collettore (Ic) (max):50A
Numero di parte base:FGA25N120A
Email:[email protected]

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