FDS8962C
FDS8962C
Modello di prodotti:
FDS8962C
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
28155 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDS8962C.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDS8962CCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:575pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A, 5A
Email:[email protected]

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