FDS6982AS_G
Modello di prodotti:
FDS6982AS_G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66535 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDS6982AS_G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.3A, 8.6A
Email:[email protected]

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