FDS3680
FDS3680
Modello di prodotti:
FDS3680
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
83838 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDS3680.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:46 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1735pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.2A (Ta)
Email:[email protected]

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