FDP5690
Modello di prodotti:
FDP5690
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
44914 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.FDP5690.pdf2.FDP5690.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:27 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):58W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1120pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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