FDN372S
Modello di prodotti:
FDN372S
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
47696 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.FDN372S.pdf2.FDN372S.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.1nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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