FDMS8320L
FDMS8320L
Modello di prodotti:
FDMS8320L
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 36A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
76350 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS8320L.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.1 mOhm @ 32A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS8320L-ND
FDMS8320LTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11110pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 36A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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