FDMS7694_SN00176
FDMS7694_SN00176
Modello di prodotti:
FDMS7694_SN00176
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
31613 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS7694_SN00176.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 27W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1410pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 13.2A (Ta), 20A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13.2A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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