FDMS3606S
FDMS3606S
Modello di prodotti:
FDMS3606S
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
76942 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMS3606S.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:Power56
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:FDMS3606STR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1785pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A, 27A
Email:[email protected]

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