FDMC7672S
FDMC7672S
Modello di prodotti:
FDMC7672S
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
44160 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMC7672S.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 14.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMC7672SCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2520pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 14.8A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14.8A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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