FDMC6679AZ
FDMC6679AZ
Modello di prodotti:
FDMC6679AZ
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V POWER33
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
78706 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMC6679AZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 41W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMC6679AZFSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3970pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 11.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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