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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDG6304P-X
FDG6304P-X
Modello di prodotti:
FDG6304P-X
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
91197 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDG6304P-X.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:-
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Potenza - Max:-
Contenitore / involucro:-
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:-
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione dettagliata:Mosfet Array
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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