FDG330P
Modello di prodotti:
FDG330P
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
45474 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDG330P.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:FDG330PCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:477pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:P-Channel 12V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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