FDD5N50UTM-WS
Modello di prodotti:
FDD5N50UTM-WS
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
52305 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDD5N50UTM-WS.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:FRFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD5N50UTM-WSTR
FDD5N50UTM_WS
FDD5N50UTM_WS-ND
FDD5N50UTM_WSTR
FDD5N50UTM_WSTR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 3A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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