FDD24AN06LA0_SB82179
Modello di prodotti:
FDD24AN06LA0_SB82179
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53687 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDD24AN06LA0_SB82179.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:19 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 7.1A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.1A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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