FDC642P-F085
FDC642P-F085
Modello di prodotti:
FDC642P-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
50404 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDC642P-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-6
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:FDC642P-F085TR
FDC642P_F085
FDC642P_F085-ND
FDC642P_F085P
FDC642P_F085TR
FDC642P_F085TR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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