FDB8880
FDB8880
Modello di prodotti:
FDB8880
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
87588 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDB8880.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AB
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:11.6 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):55W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FDB8880-ND
FDB8880TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 54A (Tc)
Email:[email protected]

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