FCP16N60N-F102
Modello di prodotti:
FCP16N60N-F102
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66010 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FCP16N60N-F102.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):134.4W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:FCP16N60N_F102
FCP16N60N_F102-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2170pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:52.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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