FCP125N65S3R0
Modello di prodotti:
FCP125N65S3R0
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
SUPERFET3 650V TO220 PKG
Quantità:
86528 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FCP125N65S3R0.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 2.4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:SuperFET® III
Rds On (max) a Id, Vgs:125 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):181W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FCP125N65S3R0-ND
FCP125N65S3R0OS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):Not Applicable
Stato senza piombo:Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1940pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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