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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > EML20T2R
EML20T2R
EML20T2R
Modello di prodotti:
EML20T2R
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
44048 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EML20T2R.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore:EMT6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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