ECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H
Modello di prodotti:
ECH8690-TL-H
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
56052 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
ECH8690-TL-H.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:8-ECH
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:55 mOhm @ 2A, 10V
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:ECH8690-TL-H-ND
ECH8690-TL-HOSTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:955pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 4V Drive
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.7A, 3.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A, 3.5A
Email:[email protected]

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