| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 30V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-75, SOT-416 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 260MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 140 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 200mA |
| Numero di parte base: | DTD743 |
| Email: | [email protected] |
