DTC123EM3T5G
DTC123EM3T5G
Modello di prodotti:
DTC123EM3T5G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
63441 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DTC123EM3T5G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-723
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:260mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-723
Altri nomi:DTC123EM3T5G-ND
DTC123EM3T5GOSTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:8 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:DTC123
Email:[email protected]

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