DTA114EEBTL
DTA114EEBTL
Modello di prodotti:
DTA114EEBTL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
49053 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.DTA114EEBTL.pdf2.DTA114EEBTL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:EMT3
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SC-75, SOT-416
Altri nomi:DTA114EEBTLDKR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):50mA
Numero di parte base:DTA114
Email:[email protected]

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