| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - nominale: | 3.3V |
| Tolleranza: | -20%, +80% |
| fine: | SMD (SMT) Tabs |
| Dimensioni / Dimension: | 0.268" Dia (6.80mm) |
| Serie: | DSK |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Coin, Wide Terminals - Opposite Sides |
| Altri nomi: | 604-1147-2 DSK3R3H204T614H2L |
| temperatura di esercizio: | -10°C ~ 60°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Durata alla temp.: | 1000 Hrs @ 60°C |
| Distanza conduttori: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | 0.071" (1.80mm) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 200 Ohm |
| Descrizione dettagliata: | 200mF (EDLC) Supercapacitor 3.3V Coin, Wide Terminals - Opposite Sides 200 Ohm 1000 Hrs @ 60°C |
| Capacità: | 200mF |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Inchiesta |
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DX-5R5H334U | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 5.5V T/H | Inchiesta |
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DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | Inchiesta |
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DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | Inchiesta |
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DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Inchiesta |
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DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Inchiesta |
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DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Inchiesta |
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305DCN2R7Q | Illinois Capacitor | CAP 3F -10%, +30% 2.7V T/H | Inchiesta |
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DSK5J01Q0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Inchiesta |
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DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | Inchiesta |
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DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Inchiesta |
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DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Inchiesta |