| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 70ns |
| Tensione di alimentazione -: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 40-EDIP |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 2Mb (128K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | NVSRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 70ns 40-EDIP |
| Numero di parte base: | DS1258AB |
| Tempo di accesso: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
