| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 100ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 32-EDIP |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | NVSRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP |
| Numero di parte base: | DS1245W |
| Tempo di accesso: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
