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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DRA5143Y0L
DRA5143Y0L
DRA5143Y0L
Modello di prodotti:
DRA5143Y0L
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
62180 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DRA5143Y0L.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SMini3-F2-B
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SC-85
Altri nomi:DRA5143Y0LCT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:DRA5143
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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