DMN2400UFD-7
DMN2400UFD-7
Modello di prodotti:
DMN2400UFD-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
65868 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMN2400UFD-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:X1-DFN1212-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:3-UDFN
Altri nomi:DMN2400UFD-7DICT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:37pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:500nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:900mA (Ta)
Email:[email protected]

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