DMN2026UVT-7
DMN2026UVT-7
Modello di prodotti:
DMN2026UVT-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
47015 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMN2026UVT-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TSOT-26
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.15W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:DMN2026UVT-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:887pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.4nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:N-Channel 20V 6.2A (Tc) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A (Tc)
Email:[email protected]

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