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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > DMG964H10R
DMG964H10R
DMG964H10R
Modello di prodotti:
DMG964H10R
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66388 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMG964H10R.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SSMini6-F3-B
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms, 10 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms, 4.7 kOhms
Potenza - Max:125mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:DMG964H10R-ND
DMG964H10RTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:DMG964
Email:[email protected]

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