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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > DF150R12RT4HOSA1
DF150R12RT4HOSA1
Modello di prodotti:
DF150R12RT4HOSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Quantità:
79150 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DF150R12RT4HOSA1.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.15V @ 15V, 150A
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:-
Potenza - Max:790W
Contenitore / involucro:Module
Altri nomi:DF150R12RT4
DF150R12RT4-ND
SP000711868
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:9.3nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200V 150A 790W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max):1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):150A
Configurazione:Single Chopper
Email:[email protected]

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Parti relative per DF150R12RT4HOSA1

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
DF15A(0.8)-30DS-0.65V(50) Image DF15A(0.8)-30DS-0.65V(50) Hirose CONN RECEPT 30POS .8MM DUAL SMD Inchiesta
DF1508S-E3/45 Image DF1508S-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GPP 1.5A 800V 4SMD Inchiesta
DF1510S-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 1.5A 1000V DF Inchiesta
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DF1510ST-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 1.5A 1000V DF Inchiesta
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DF1508S-E3/77 Image DF1508S-E3/77 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GPP 1.5A 800V 4SMD Inchiesta
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