| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 800mV @ 1mA, 40mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Potenza - Max: | 250mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 3-XFDFN |
| Altri nomi: | DDTA144ELP7 DDTA144ELPDICT |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 100mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 200mA |
| Numero di parte base: | DDTA144 |
| Email: | [email protected] |
