| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 45ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-TSOP II |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Altri nomi: | CY14B104KZS45XI |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Mb (512K x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | NVSRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 45ns 44-TSOP II |
| Numero di parte base: | CY14B104 |
| Tempo di accesso: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
