| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 375W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 35 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 12200pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 156nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
