CSD13306WT
Modello di prodotti:
CSD13306WT
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
47962 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CSD13306WT.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-DSBGA (1x1.5)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UFBGA, DSBGA
Altri nomi:296-41134-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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