CDM4-650 TR13
CDM4-650 TR13
Modello di prodotti:
CDM4-650 TR13
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66995 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CDM4-650 TR13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:463pF @ 25V
Tensione - Ripartizione:DPAK
Vgs (th) (max) a Id:2.7 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:-
Stato RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs:4A (Ta)
Polarizzazione:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:CDM4-650 TR13TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:CDM4-650 TR13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11.4nC @ 10V
Tipo IGBT:30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 650V 4A (Ta) 620mW (Ta), 77W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:650V
rapporto di capacità:620mW (Ta), 77W (Tc)
Email:[email protected]

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