| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 113.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-4 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | Not Applicable |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
