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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > BYR5D-1200PJ
BYR5D-1200PJ
Modello di prodotti:
BYR5D-1200PJ
fabbricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrizione:
BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59184 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BYR5D-1200PJ.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:2.2V @ 5A
Tensione - inversa (Vr) (max):1200V
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):62ns
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:934072040118
Temperatura di funzionamento - Giunzione:175°C (Max)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 1200V 5A Surface Mount DPAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr:50µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io):5A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per BYR5D-1200PJ

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BYR29X-800,127 Image BYR29X-800,127 WeEn Semiconductors Co., Ltd DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Inchiesta
B360AE-13 Diodes Incorporated DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA Inchiesta
HER105G-TP Micro Commercial Components (MCC) DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 Inchiesta
BAV102 Image BAV102 AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 Inchiesta
CD1408-FU1400 Image CD1408-FU1400 Bourns, Inc. DIODE GEN PURP 400V 1A 1408 Inchiesta
BYR29-800,127 Image BYR29-800,127 WeEn Semiconductors Co., Ltd DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC Inchiesta
BAS40-7-F Image BAS40-7-F Diodes Incorporated DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23-3 Inchiesta
HS246150R Microsemi DIODE SCHOTTKY 150V 240A HALFPAK Inchiesta
BYR29X-600,127 Image BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors Co., Ltd DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
1N6628 Image 1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Inchiesta
VT5202-M3/4W Image VT5202-M3/4W Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO220AC Inchiesta
R5020410RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA Inchiesta
BYV27-050-TAP Image BYV27-050-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 55V 2A SOD57 Inchiesta
SFAF1606G C0G Image SFAF1606G C0G TSC (Taiwan Semiconductor) DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AC Inchiesta
1N3064TR Image 1N3064TR AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 Inchiesta
SE50PAJ-M3/I Image SE50PAJ-M3/I Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC Inchiesta
SBRT4U30LP-7 Image SBRT4U30LP-7 Diodes Incorporated DIODE SBR 30V 4A U-DFN2020-2 Inchiesta
BYR29-600,127 Image BYR29-600,127 WeEn Semiconductors Co., Ltd DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Inchiesta
MUR120RLG Image MUR120RLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
1SS400CST2R Image 1SS400CST2R LAPIS Semiconductor DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2 Inchiesta

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