| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 98 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 37W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Altri nomi: | 1727-1119-1 568-10274-1 568-10274-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 706pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 80V 11.8A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
