BSR58LT1G
BSR58LT1G
Modello di prodotti:
BSR58LT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
77188 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BSR58LT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 1µA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS):40V
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistenza - RDS (on):60 Ohms
Potenza - Max:350mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Tipo FET:N-Channel
Descrizione dettagliata:JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0):8mA @ 15V
Numero di parte base:BSR58
Email:[email protected]

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