| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 42µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 19.6 mOhm @ 45A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 78W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSC196N10NS GCT BSC196N10NS GCT-ND BSC196N10NSGATMA1CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2300pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.5A (Ta), 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
