BSC0904NSIATMA1
BSC0904NSIATMA1
Modello di prodotti:
BSC0904NSIATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
72676 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BSC0904NSIATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC0904NSIATMA1CT
BSC0904NSICT
BSC0904NSICT-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 78A (Tc)
Email:[email protected]

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