Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF8G27LS-100PJ
BLF8G27LS-100PJ
BLF8G27LS-100PJ
Modello di prodotti:
BLF8G27LS-100PJ
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60796 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BLF8G27LS-100PJ.pdf
Inchiesta

introduzione

BLF8G27LS-100PJ miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di BLF8G27LS-100PJ, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BLF8G27LS-100PJ via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Contenitore dispositivo fornitore:LDMOST
Serie:-
Alimentazione - uscita:25W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-1121B
Altri nomi:934067466118
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:18dB
Frequenza:2.5GHz ~ 2.7GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 860mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 18dB 25W LDMOST
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:860mA
Numero di parte base:BLF8G27
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per BLF8G27LS-100PJ

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF8G27LS-100J Image BLF8G27LS-100J Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B Inchiesta
BLF8G27LS-100PU Image BLF8G27LS-100PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B Inchiesta
BLF8G27LS-140,112 Image BLF8G27LS-140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B Inchiesta
BLF8G27LS-100GVJ Image BLF8G27LS-100GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G27LS-100U Image BLF8G27LS-100U Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B Inchiesta
BLF8G27LS-100V,118 Image BLF8G27LS-100V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G27LS-140,118 Image BLF8G27LS-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B Inchiesta
BLF8G24LS-200P,112 Image BLF8G24LS-200P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G27LS-100V,112 Image BLF8G27LS-100V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G27LS-140V Ampleon RF FET Inchiesta
BLF8G24LS-200PNU Image BLF8G24LS-200PNU Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G24LS-200PNJ Image BLF8G24LS-200PNJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G24LS-200P,118 Image BLF8G24LS-200P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Inchiesta
BLF8G24LS-150VU Image BLF8G24LS-150VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G27LS-140V,118 Image BLF8G27LS-140V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B Inchiesta
BLF8G27LS-100GVQ Image BLF8G27LS-100GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G27LS-150GVJ Image BLF8G27LS-150GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G27LS-140V,112 Image BLF8G27LS-140V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B Inchiesta
BLF8G24LS-150VJ Image BLF8G24LS-150VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G24LS-150GVQ Image BLF8G24LS-150GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C Inchiesta

Latest Notizie