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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF6H10L-160,112
BLF6H10L-160,112
BLF6H10L-160,112
Modello di prodotti:
BLF6H10L-160,112
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60948 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BLF6H10L-160,112.pdf
Inchiesta

introduzione

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BOSER Technology è il distributore di BLF6H10L-160,112, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BLF6H10L-160,112 via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:50V
Tensione - nominale:104V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:SOT467C
Serie:-
Alimentazione - uscita:38W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT467C
Altri nomi:934065657112
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:20dB
Frequenza:952.5MHz ~ 957.5MHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 50V 600mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20dB 38W SOT467C
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:600mA
Email:[email protected]

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Parti relative per BLF6H10L-160,112

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF7G15LS-200,118 Image BLF7G15LS-200,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B Inchiesta
BLF6H10LS-160,118 Image BLF6H10LS-160,118 Ampleon RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B Inchiesta
BLF7G15LS-200,112 Image BLF7G15LS-200,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B Inchiesta
BLF6G38LS-50,112 Image BLF6G38LS-50,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B Inchiesta
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BLF6G38-50,112 Image BLF6G38-50,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502A Inchiesta
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BLF7G15LS-300P,112 Image BLF7G15LS-300P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B Inchiesta
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