Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF6G10-160RN,112
BLF6G10-160RN,112
BLF6G10-160RN,112
Modello di prodotti:
BLF6G10-160RN,112
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
42321 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BLF6G10-160RN,112.pdf
Inchiesta

introduzione

BLF6G10-160RN,112 miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di BLF6G10-160RN,112, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BLF6G10-160RN,112 via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:32V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:LDMOST
Serie:-
Alimentazione - uscita:32W
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:SOT-502A
Altri nomi:568-8635
934063281112
BLF6G10-160RN,112-ND
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:22.5dB
Frequenza:922.5MHz ~ 957.5MHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W LDMOST
Valutazione attuale:39A
Corrente - Test:1.2A
Numero di parte base:BLF6G10
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per BLF6G10-160RN,112

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF6G10L-260PRN:11 Image BLF6G10L-260PRN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Inchiesta
BLF6G05LS-200RN:11 Image BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Inchiesta
BLF6G10L-40BRN,118 Image BLF6G10L-40BRN,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Inchiesta
BLF647PSJ Image BLF647PSJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Inchiesta
BLF6G10-135RN,112 Image BLF6G10-135RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Inchiesta
BLF642,112 Image BLF642,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C Inchiesta
BLF6G10-45,112 Image BLF6G10-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Inchiesta
BLF6G10L-40BRN,112 Image BLF6G10L-40BRN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Inchiesta
BLF645,112 Image BLF645,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A Inchiesta
BLF6G10-45,135 Image BLF6G10-45,135 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Inchiesta
BLF647PS,112 Image BLF647PS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Inchiesta
BLF6G10LS-135R,112 Image BLF6G10LS-135R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Inchiesta
BLF647,112 Image BLF647,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A Inchiesta
BLF647P,112 Image BLF647P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A Inchiesta
BLF6G10L-260PRN,11 Image BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Inchiesta
BLF6G05LS-200RN,11 Image BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Inchiesta
BLF644PU Image BLF644PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A Inchiesta
BLF6G10L-260PBM:11 Image BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT1110A Inchiesta
BLF6G10-200RN,112 Image BLF6G10-200RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Inchiesta
BLF6G10L-260PBM,11 Image BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT1110A Inchiesta

Latest Notizie